二碲化鉬是一種具有特殊層狀結構的過渡金屬二硫族化合物，化學式為MoTe2。這種材料屬于二維材料家族，與石墨烯類似但展現出更豐富的電子特性。在自然界中，二碲化鉬以1T(三方晶系)和2H(六方晶系)兩種主要相態存在，其中2H相具有半導體特性(帶隙約1.0eV)，而1T相則表現出金屬性。

需要重點關注二碲化鉬在電子器件領域的應用潛力，特別是其可調控的電子結構和突出的光電性能。研究表明，通過施加應變或電場，可以實現1T相與2H相之間的可逆轉變，這種相變特性使MoTe2成為相變存儲器和可重構器件的理想候選材料。在77K低溫下，2H-MoTe2還表現出奇特的量子限域效應和激子發光特性。

從制備工藝來看，二碲化鉬可通過化學氣相沉積(CVD)、分子束外延(MBE)等方法獲得高質量薄膜。工業級制備時通常采用碲化鉬粉末(純度99.99%)作為前驅體，在氬氣保護下進行高溫反應。最新研究發現，通過控制生長溫度(650-800℃)和碲蒸氣分壓，可以精確調控產物的相組成和結晶質量。

除了基礎研究價值，二碲化鉬在實際應用方面展現出多重優勢。其載流子遷移率可達200-500cm2/Vs，優于傳統半導體材料。在柔性電子領域，MoTe2薄膜在彎曲半徑3mm條件下仍能保持穩定性能，這使得它在可穿戴設備中具有獨特優勢。值得注意的是，這種材料對近紅外光(波長900-1600nm)具有特殊響應，為開發新型光電探測器開辟了新途徑。

隨著納米加工技術的進步，二碲化鉬異質結器件性能持續提升。通過原子層沉積(ALD)技術可制備出厚度精確到單原子層的MoTe2薄膜，其表面粗糙度(RMS)可控制在0.2nm以下。當前研究熱點集中在利用其拓撲絕緣體特性開發低功耗自旋電子器件，以及探索在量子計算中的潛在應用。