高純鉬桿是指鉬含量達到99.95%及以上純度（通常為99.95%-99.999%）的圓柱形鉬金屬制品，主要通過粉末冶金或電子束熔煉工藝制成。這類材料具有極低的雜質含量（碳＜0.005%、氧＜0.001%），其晶體結構完整性和物理性能遠超普通工業級鉬制品，在高溫環境(最高使用溫度1900℃)下仍能保持優異的機械強度和抗蠕變性能。

需要特別關注的是高純鉬桿的典型直徑范圍（3mm-50mm）和表面處理工藝，特別是經過精密研磨（表面粗糙度Ra≤0.8μm）和電解拋光后的產品，能夠滿足半導體制造設備對超高真空環境的嚴苛要求。這種材料的熱膨脹系數(4.8×10??/K)與硅晶圓接近，使其成為晶圓熱處理工藝中不可或缺的支撐部件。

在具體應用場景中，高純鉬桿憑借其電子逸出功低(4.3eV)和二次電子發射系數小的特性，被廣泛用作X射線管靶材、離子注入機部件等核心元器件。隨著光伏行業N型電池技術的發展，其作為單晶爐熱場材料的市場需求正以每年15%的速度增長，頭部供應商已能提供長度達3米的單根無縫鉬桿（直線度≤0.1mm/m）。

當前行業面臨的挑戰主要在于控制高溫退火過程中的晶粒異常長大現象，這直接影響材料的抗疲勞壽命（循環次數＞10?次）。領先制造商通過引入區域熔煉提純技術，已將鉬桿的室溫抗拉強度提升至800MPa以上，同時維持25%的延伸率，這類性能參數正在重新定義高端真空電子器件的設計標準。